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APTC60VDAM24T3G

更新时间:2025-06-21 06:31:11
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APTC60VDAM24T3G 规格参数
  • 现有数量
    0现货查看交期
  • 系列
    CoolMOS?
  • 包装
    托盘
  • 产品状态
    在售
  • 技术
    MOSFET（金属氧化物）
  • 配置
    2 N-通道（双）
  • FET 功能
    超级结
  • 漏源电压（Vdss）
    600V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    95A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    24 毫欧 @ 47.5A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    3.9V @ 5mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    300nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    14400pF @ 25V
  • 功率 - 最大值
    462W
  • 工作温度
    -40°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型
    底座安装
  • 封装/外壳
    SP3
  • 供应商器件封装
    SP3
芯知识
2.1万
视频广告作为自主零售终端的“能量心脏”，HVP6-24S12始终稳供不宕机！
广东微尔科技有限公司
APTC60VDAM24T3G推荐型号
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