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APTGT100H120G

更新时间:2025-07-04 22:39:08
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  • 安徽纽本科技有限公司

  • APTGT100H120G

    APTGT100H120G

  • 1032

  • MICROCHIP(MICROSEMI)

  • MODULE/25+

  • 全新原装原盒原标实拍 支持选型 保证质量 新批次

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APTGT100H120G 规格参数
  • 标准包装
    1
  • 类别
    半导体模块
  • 家庭
    IGBT
  • 系列
    -
  • IGBT 类型
    沟道和场截止
  • 配置
    全桥反相器
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）
    1200V
  • Vge, Ic时的最大Vce（开）
    2.1V @ 15V，100A
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）
    140A
  • 电流 - 集电极截止（最大）
    250µA
  • Vce 时的输入电容 (Cies)
    7.2nF @ 25V
  • 功率 - 最大
    480W
  • 输入
    标准型
  • NTC 热敏电阻
    无
  • 安装类型
    底座安装
  • 封装/外壳
    SP6
  • 供应商设备封装
    SP6
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