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APTGT75H60T3G

更新时间:2025-05-20 08:36:04
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  • 安徽纽本科技有限公司

  • APTGT75H60T3G

    APTGT75H60T3G

  • 1004

  • MICROCHIP(MICROSEMI)

  • MODULE/25+

  • 全新原装原盒原标实拍 支持选型 保证质量 新批次

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APTGT75H60T3G 规格参数
  • 标准包装
    1
  • 类别
    半导体模块
  • 家庭
    IGBT
  • 系列
    -
  • IGBT 类型
    沟道和场截止
  • 配置
    全桥反相器
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）
    600V
  • Vge, Ic时的最大Vce（开）
    1.9V @ 15V，75A
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）
    100A
  • 电流 - 集电极截止（最大）
    250µA
  • Vce 时的输入电容 (Cies)
    4.62nF @ 25V
  • 功率 - 最大
    250W
  • 输入
    标准型
  • NTC 热敏电阻
    是
  • 安装类型
    底座安装
  • 封装/外壳
    SP3
  • 供应商设备封装
    SP3
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