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APTM10DAM02G

更新时间:2025-06-16 14:53:45
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APTM10DAM02G 规格参数
  • 标准包装
    1
  • 类别
    半导体模块
  • 家庭
    FET
  • 系列
    -
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    495A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    2.5 毫欧 @ 200A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    4V @ 10mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    1360nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    40000pF @ 25V
  • 功率 - 最大
    1250W
  • 安装类型
    底座安装
  • 封装/外壳
    SP6
  • 供应商设备封装
    SP6
  • 包装
    散装
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