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APTM120DA30T1G

更新时间:2025-05-24 18:25:42
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APTM120DA30T1G 规格参数
  • 标准包装
    1
  • 类别
    半导体模块
  • 家庭
    FET
  • 系列
    -
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    1200V（1.2kV）
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    31A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    360 毫欧 @ 25A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    5V @ 2.5mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    560nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    14560pF @ 25V
  • 功率 - 最大
    657W
  • 安装类型
    底座安装
  • 封装/外壳
    SP1
  • 供应商设备封装
    SP1
  • 包装
    散装
芯知识
2.6万
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广东微尔科技有限公司
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