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APTM120U10SCAVG

更新时间:2025-05-20 02:49:31
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APTM120U10SCAVG 规格参数
  • 标准包装
    1
  • 类别
    半导体模块
  • 家庭
    FET
  • 系列
    POWER MOS 7®
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    1200V（1.2kV）
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    116A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    120 毫欧 @ 58A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    5V @ 20mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    1100nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    28900pF @ 25V
  • 功率 - 最大
    3290W
  • 安装类型
    *
  • 封装/外壳
    *
  • 供应商设备封装
    *
  • 包装
    *
芯知识
2.6万
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广东微尔科技有限公司
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