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APTM50DHM65T3G

更新时间:2025-06-11 16:21:00
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APTM50DHM65T3G 规格参数
  • 现有数量
    0现货
  • 系列
    POWER MOS 8?
  • 包装
    散装
  • 产品状态
    停产
  • 技术
    MOSFET（金属氧化物）
  • 配置
    2 N 沟道（双）非对称型
  • FET 功能
    -
  • 漏源电压（Vdss）
    500V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    51A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    78 毫欧 @ 42A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    5V @ 2.5mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    340nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    10800pF @ 25V
  • 功率 - 最大值
    390W
  • 工作温度
    -40°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型
    底座安装
  • 封装/外壳
    SP3
  • 供应商器件封装
    SP3
芯知识
2.6万
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广东微尔科技有限公司
APTM50DHM65T3G推荐型号
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