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BC639G

更新时间:2025-05-16 22:00:33
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BC639G外观图

BC639G

ON Semiconductor 晶体管(BJT) - 单路

TRANSISTOR NPN GP 80V 1A TO-92

  • 封装:TO-226-3、TO-92-3 标准主体
BC639G 规格参数
  • 标准包装
    5,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    晶体管(BJT) - 单路
  • 系列
    -
  • 晶体管类型
    NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）
    1A
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）
    80V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）
    500mV @ 50mA，500mA
  • 电流 - 集电极截止（最大）
    -
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
    40 @ 150mA，2V
  • 功率 - 最大
    625mW
  • 频率 - 转换
    200MHz
  • 安装类型
    通孔
  • 封装/外壳
    TO-226-3、TO-92-3 标准主体
  • 供应商设备封装
    TO-92-3
  • 包装
    散装
  • 其它名称
    BC639G-NDBC639GOS
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