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BC850C

更新时间:2025-07-04 06:49:03
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  • 深圳市高胜电子有限公司

  • BC850CLT1

    BC850CLT1
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  • SOT23/0628+

  • 进口原装现货

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BC850C 规格参数
  • 制造商
    Fairchild Semiconductor
  • 晶体管极性
    NPN
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO
    45 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO
    6 V
  • 最大直流电集电极电流
    0.1 A
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min
    420 at 2 mA at 5 V
  • 配置
    Single
  • 最大工作频率
    250 MHz
  • 最大工作温度
    + 150 C
  • 最小工作温度
    - 65 C
  • 功率耗散
    330 mW
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