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BCM856DS,115

更新时间:2025-07-03 12:52:55
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BCM856DS,115外观图

BCM856DS,115

NXP Semiconductors 晶体管(BJT) - 阵列

TRANS PNP DBL 65V 100MA 6-TSOP

  • 封装:SC-74，SOT-457
BCM856DS,115 规格参数
  • 特色产品
    NXP - I2C Interface
  • 标准包装
    3,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    晶体管(BJT) - 阵列
  • 系列
    -
  • 晶体管类型
    2 PNP（双）
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）
    100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）
    65V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）
    400mV @ 5mA，100mA
  • 电流 - 集电极截止（最大）
    -
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
    200 @ 2mA，5V
  • 功率 - 最大
    380mW
  • 频率 - 转换
    175MHz
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    SC-74，SOT-457
  • 供应商设备封装
    6-TSOP
  • 包装
    带卷 (TR)
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