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BCV64B,215

更新时间:2025-05-17 21:38:39
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BCV64B,215外观图

BCV64B,215

NXP Semiconductors 晶体管(BJT) - 阵列

TRANS PNP 30V 100MA DUAL SOT143B

  • 封装:TO-253-4，TO-253AA
BCV64B,215 规格参数
  • 特色产品
    NXP - I2C Interface
  • 标准包装
    3,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    晶体管(BJT) - 阵列
  • 系列
    -
  • 晶体管类型
    2 PNP（双）
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）
    100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）
    30V，6V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）
    650mV @ 5mA，100mA / 250mV @ 5mA，100mA
  • 电流 - 集电极截止（最大）
    -
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
    220 @ 2mA，5V / 220 @ 2mA，700mV
  • 功率 - 最大
    250mW
  • 频率 - 转换
    100MHz
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    TO-253-4，TO-253AA
  • 供应商设备封装
    SOT-143B
  • 包装
    带卷 (TR)
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广东微尔科技有限公司
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