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BFG35,115

更新时间:2025-07-09 10:29:53
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BFG35,115外观图

BFG35,115

NXP Semiconductors RF 晶体管 (BJT)

TRANS NPN 10V 150MA SOT223

  • 封装:TO-261-4，TO-261AA
BFG35,115 规格参数
  • 标准包装
    1
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    RF 晶体管 (BJT)
  • 系列
    -
  • 晶体管类型
    NPN
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）
    18V
  • 频率 - 转换
    4GHz
  • 噪声系数（dB典型值@频率）
    -
  • 增益
    -
  • 功率 - 最大
    1W
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
    25 @ 100mA，10V
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）
    150mA
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    TO-261-4，TO-261AA
  • 供应商设备封装
    SC-73
  • 包装
    Digi-Reel?
  • 其它名称
    568-6187-6
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