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BFN19TA

更新时间:2025-05-21 07:15:26

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BFN19TA 概述

BFN19TA是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款高性能N沟道MOSFET。该器件采用TSOP-6封装，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高效功率转换应用。其主要特点包括低至30mΩ的导通电阻（VGS = 4.5V时），可有效降低导通损耗，提高系统效率。该MOSFET的最大漏源电压(VDS)为30V，连续漏极电流(ID)可达4.8A（在25°C条件下），适合中等功率应用。典型应用场景包括DC-DC转换器、负载开关、电池保护电路以及便携式电子设备中的电源管理模块。在实际应用中，建议在栅极驱动电路中使用适当的缓冲电容以优化开关性能，并确保散热设计合理，避免因过热导致的性能下降或损坏。由于其小型化封装，特别适合空间受限的设计需求。

BFN19TA 规格参数

制造商
Diodes Inc.
晶体管极性
PNP
集电极—发射极最大电压 VCEO
300 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
最大直流电集电极电流
0.2 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
25 at 1 mA at 10 V
配置
Single Dual Collector
最大工作频率
100 MHz
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-89
封装
Reel
最小工作温度
- 65 C
功率耗散
1000 mW

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