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BFU730F,115

更新时间:2025-05-19 20:21:38
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BFU730F,115外观图

BFU730F,115

NXP Semiconductors RF 晶体管 (BJT)

TRANSISTOR NPN SOT343F-4

  • 封装:SOT-343F
BFU730F,115 规格参数
  • 产品培训模块
    BFU6xx/7xx, 6th and 7th Generation Wideband Transistors
  • 标准包装
    1
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    RF 晶体管 (BJT)
  • 系列
    -
  • 晶体管类型
    NPN
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）
    2.8V
  • 频率 - 转换
    55GHz
  • 噪声系数（dB典型值@频率）
    0.8dB ~ 1.3dB @ 5.8GHz ~ 12GHz
  • 增益
    -
  • 功率 - 最大
    197mW
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
    205 @ 2mA，2V
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）
    30mA
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    SOT-343F
  • 供应商设备封装
    4-DFP
  • 包装
    Digi-Reel?
  • 其它名称
    568-8457-6
芯知识
2.1万
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广东微尔科技有限公司
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