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BSP52T1G

更新时间:2025-07-03 17:20:18
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BSP52T1G外观图

BSP52T1G

ON Semiconductor 晶体管(BJT) - 单路

TRANS DARL NPN 1A 80V SOT223

  • 封装:TO-261-4，TO-261AA
BSP52T1G 规格参数
  • 标准包装
    1,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    晶体管(BJT) - 单路
  • 系列
    -
  • 晶体管类型
    NPN - 达林顿
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）
    1A
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）
    80V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）
    1.3V @ 500µA，500mA
  • 电流 - 集电极截止（最大）
    10µA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
    2000 @ 500mA，10V
  • 功率 - 最大
    800mW
  • 频率 - 转换
    -
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    TO-261-4，TO-261AA
  • 供应商设备封装
    SOT-223
  • 包装
    带卷 (TR)
  • 其它名称
    BSP52T1GOSTR
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