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BSS84CT1G

更新时间:2025-06-19 10:38:03

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BSS84CT1G 概述

BSS84CT1G是安森美半导体生产的一款P沟道增强型MOSFET。它采用SOT-23封装，具有低导通电阻和快速开关特性。这款MOSFET的最大漏源电压为-50V，在-2.5V栅源电压下典型导通电阻为0.2Ω。其小尺寸封装非常适合空间受限的应用场景。该元件适用于多种电路设计中，如负载开关、电源管理以及信号切换等。在便携式设备中常被用作电池供电电路的控制开关，以实现高效能的电源管理。当用于负载开关时，需注意其最大电流能力，确保不超过额定值以免损坏器件。在进行PCB布局时，尽量缩短源极和漏极之间的走线长度以减少寄生电感的影响，提高开关性能。

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