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BSV52LT1G

更新时间:2025-07-03 16:28:50
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BSV52LT1G外观图

BSV52LT1G

ON Semiconductor 晶体管(BJT) - 单路

TRANS NPN 12V 100MA SOT-23

  • 封装:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
BSV52LT1G 规格参数
  • 标准包装
    3,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    晶体管(BJT) - 单路
  • 系列
    -
  • 晶体管类型
    NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）
    100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）
    12V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）
    400mV @ 5mA，50mA
  • 电流 - 集电极截止（最大）
    -
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
    40 @ 10mA，1V
  • 功率 - 最大
    225mW
  • 频率 - 转换
    400MHz
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商设备封装
    SOT-23-3（TO-236）
  • 包装
    带卷 (TR)
  • 其它名称
    BSV52LT1G-NDBSV52LT1GOSTR
BSV52LT1G Datasheet数据手册 PDF下载
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