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BSZ067N06LS3 G

更新时间:2025-06-10 12:11:51
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BSZ067N06LS3 G 规格参数
  • 数据列表
    BSZ067N06LS3GBSZ067N06LS3 G
  • 标准包装
    5,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    OptiMOS™
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    20A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    6.7 毫欧 @ 20A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    2.2V @ 35µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    67nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    5100pF @ 30V
  • 功率 - 最大
    69W
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    8-PowerVDFN
  • 供应商设备封装
    PG-TSDSON-8（3.3x3.3）
  • 包装
    带卷 (TR)
  • 其它名称
    BSZ067N06LS3GBSZ067N06LS3GINTRBSZ067N06LS3GZTSP000451080
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广东微尔科技有限公司
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