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BUZ900P

更新时间:2025-06-16 04:48:04

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BUZ900P 概述

BUZ900P是飞利浦半导体（现为恩智浦半导体）生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件设计用于高效率开关应用，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于电源管理、直流-直流转换器以及电机驱动等场合。其封装形式为TO-220，便于散热和安装。在实际应用中，推荐使用适当的散热器以确保最佳性能。电路设计时应注意栅极驱动电压的选择，通常需要10V以上的电压来实现最低的导通电阻。对于高频开关应用，需仔细考虑栅极电阻的选择以优化开关速度并减少EMI干扰。在电机控制电路中，可与PWM控制器配合使用，实现精准的速度调节。注意在焊接过程中避免过热损坏内部结构。

BUZ900P 规格参数

典型关断延迟时间
50 ns
典型接通延迟时间
100 ns
典型输入电容值@Vds
500 pF V @ 10
安装类型
通孔
宽度
2.49mm
封装类型
TO-247
尺寸
16.26 x 2.49 x 21.46mm
引脚数目
3
最大功率耗散
125 W
最大栅源电压
±14 V
最大漏源电压
160 V
最大连续漏极电流
8 A
最高工作温度
+150 °C
每片芯片元件数目
1
类别
功率 MOSFET
通道模式
增强
通道类型
N
配置
单
长度
16.26mm
高度
21.46mm

芯产品

4.2万

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