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BVSS123LT1G

更新时间:2025-06-14 03:14:02
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BVSS123LT1G外观图

BVSS123LT1G

ON Semiconductor FET - 单

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23-3

  • 封装:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
BVSS123LT1G 规格参数
  • 标准包装
    3,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    -
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    170mA
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    6 欧姆 @ 100mA，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    *
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    -
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    20pF @ 25V
  • 功率 - 最大
    225mW
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商设备封装
    SOT-23-3
  • 包装
    带卷 (TR)
芯知识
2.1万
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广东微尔科技有限公司
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