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BYQ28E150

更新时间:2025-05-23 22:42:54

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BYQ28E150 概述

BYQ28E150是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款高压N沟道功率MOSFET。该器件采用DPAK封装，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高频开关电源应用。其最大漏源电压（Vds）为150V，适合用于工业控制、通信电源等需要较高耐压的场合。在实际应用中，BYQ28E150常被用作同步整流器或主开关管，尤其适合于DC-DC转换器和AC-DC适配器设计。由于其低栅极电荷特性，能够有效减少开关损耗，提高整体效率。使用时应注意栅极驱动电压的选择，推荐使用10-15V以确保完全开启。在PCB布局时应尽量缩短源极和栅极引线长度，以减少寄生电感对开关性能的影响。

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