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C2M0045170P

更新时间:2025-05-21 02:01:11

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C2M0045170P 概述

C2M0045170P是由Wolfspeed（原名Cree）生产的碳化硅功率MOSFET器件。该型号采用TO-247-3封装，适用于高压和高频应用场合。其额定电压为1700V，具有极低的导通电阻，有助于减少开关损耗并提高系统效率。这款MOSFET特别适合于工业电源、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器以及电动汽车充电桩等需要高效能量转换的应用场景。由于碳化硅材料的优越特性，相比传统硅基器件，它能在更高温度下工作，并且具备更快的开关速度。在实际应用中，设计者应关注驱动电路的设计以充分发挥其高速开关性能。建议使用专门针对碳化硅器件优化的栅极驱动器，并确保适当的散热措施以维持长期稳定运行。此外，在PCB布局时应注意减小寄生电感，防止出现电压过冲现象。

C2M0045170P 规格参数

现有数量
0现货查看交期
系列
C2M?
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
1700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
72A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
59 毫欧 @ 50A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 18mA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
188 nC @ 20 V
Vgs（最大值）
+25V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
3672 pF @ 1000 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
520W（Tc）
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-247-4L
封装/外壳
TO-247-4

芯产品

303

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