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C3M0065100J

更新时间:2025-06-06 18:41:41
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C3M0065100J 规格参数
  • 现有数量
    4,344现货
  • 系列
    C3M?
  • 包装
    管件
  • 产品状态
    在售
  • FET 类型
    N 通道
  • 技术
    SiCFET（碳化硅）
  • 漏源电压（Vdss）
    1000 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    35A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
    15V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    78 毫欧 @ 20A，15V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    3.5V @ 5mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    35 nC @ 15 V
  • Vgs（最大值）
    +15V，-4V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    660 pF @ 600 V
  • FET 功能
    -
  • 功率耗散（最大值）
    113.5W（Tc）
  • 工作温度
    -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 供应商器件封装
    D2PAK-7
  • 封装/外壳
    TO-263-8，D2Pak（7 引线+接片），TO-263CA
芯产品
1247
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广东微尔科技有限公司
C3M0065100J推荐型号

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