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CAB425M12XM3

更新时间:2025-05-25 02:03:01
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CAB425M12XM3 规格参数
  • 现有数量
    0现货查看交期
  • 系列
    CAB425M12XM3
  • 包装
    散装
  • 产品状态
    在售
  • 技术
    碳化硅（SiC）
  • 配置
    2 个 N 通道（半桥）
  • FET 功能
    -
  • 漏源电压（Vdss）
    1200V（1.2kV）
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    450A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    4.2 毫欧 @ 425A，15V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    3.6V @ 115mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    1135nC @ 15V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    30.7nF @ 800V
  • 功率 - 最大值
    50mW
  • 工作温度
    -40°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型
    底座安装
  • 封装/外壳
    模块
  • 供应商器件封装
    -
芯知识
5.1万
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广东微尔科技有限公司
CAB425M12XM3推荐型号

IC型号索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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