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CGH35015F

更新时间:2025-06-25 14:53:46

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CGH35015F 概述

CGH35015F是由Cree公司（现已被Wolfspeed收购）生产的一款氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。这款器件专为高效功率放大应用设计，能在射频和微波频率下工作。其主要应用场景包括无线通信基站、雷达系统以及卫星通信设备中。在无线通信基站里，它能帮助提升信号传输效率并减少能量损耗。对于雷达系统而言，该器件有助于实现更精确的探测与成像功能。由于其采用GaN材料，相较于传统硅基器件，具有更高的击穿电压、更低的导通电阻以及更快的开关速度等优势。使用时应注意合适的栅极驱动电压设置以确保正常工作，并且在电路设计上要充分考虑散热管理，因为高频率高功率工作状态下会产生较多热量。根据具体应用场景，可将其与匹配网络相结合以达到最佳性能。

CGH35015F 规格参数

现有数量
28现货
系列
GaN
包装
托盘
产品状态
停产
技术
HEMT
配置
-
频率
3.3GHz ~ 3.9GHz
增益
12dB
电压 - 测试
28 V
额定电流（安培）
-
噪声系数
-
电流 - 测试
100 mA
功率 - 输出
15W
电压 - 额定
84 V
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
440196
供应商器件封装
440196

芯知识

2.1万

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