CMD307P3

更新时间:2025-05-25 15:51:05

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CMD307P3 概述

CMD307P3是来自Cree公司（现为Wolfspeed）的一款氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。该器件采用硅基氮化镓技术，具有低寄生电容和高击穿电压特性。它专为高效功率放大应用设计，在无线通信基础设施中表现优异。典型应用场景包括蜂窝基站功率放大器、卫星通信系统以及雷达系统等射频功率放大领域。在Doherty功率放大器架构中特别有用，可显著提升效率和线性度。使用时需注意匹配网络的设计以优化性能，并确保适当的散热措施来维持长期可靠性。建议在PCB布局中使用接地平面并尽量缩短源极到地的连接距离以减少寄生电感。

芯知识

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