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CMD316C3

更新时间:2025-05-21 10:39:51

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CMD316C3 概述

CMD316C3是Cree公司（现为Wolfspeed）生产的一款氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）。该器件采用碳化硅衬底技术，具有低寄生电容和低导通电阻特性，在高频应用中表现出色。其栅极驱动电压范围宽，可支持从直流到毫米波频段的工作频率。典型应用场景包括无线通信基站功率放大器、雷达系统以及卫星通信设备等需要高效能射频功率放大的领域。由于其优越的热稳定性和高效率特点，非常适合用于设计紧凑型、高性能射频电路。在实际应用中，需注意合理选择匹配网络以实现最佳性能，并确保良好的散热设计以维持器件长期稳定工作。

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