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CMLDM8120 TR

更新时间:2025-06-01 19:22:24
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CMLDM8120 TR 规格参数
  • 品牌：Central Semiconductor Corp
  • 描述：MOSFET P-CH 20V 0.86A SOT563
  • 包装：1/剪切带（CT）
  • FET 类型：P 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：20V
  • 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：860mA（Ta）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
  • 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：150 毫欧 @ 950mA，4.5V
  • 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）：3.56nC @ 4.5V
  • Vgs（最大值）：8V
  • 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：200pF @ 16V
  • 功率耗散（最大值）：150mW（Ta）
  • 工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 供应商器件封装：SOT-563
  • 封装/外壳：SOT-563，SOT-666
芯知识
3.3万
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苏州固锝电子股份有限公司
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