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CS10N65FA9R

更新时间:2025-05-21 16:14:30

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深圳市优尚半导体科技有限公司
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CS10N65FA9R 概述

CS10N65FA9R是由CoreSemi公司生产的高性能N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的平面栅极技术，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高频开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等应用场合。此MOSFET的最大漏源电压为650V，连续漏极电流可达10A，具备出色的雪崩能量耐量，在高可靠性要求的工业级应用中表现出色。其封装形式为TO-220F，方便散热设计且易于安装。在反向恢复时间上表现优异，能够显著降低开关损耗，提高系统整体效率。在实际应用中，推荐用于高压侧开关或同步整流电路，尤其适合于对EMI有严格要求的设计。由于其高耐压特性和良好的热稳定性，非常适合应用于不间断电源（UPS）、逆变器以及LED照明驱动等领域。使用时需注意驱动电压的选择，确保MOSFET工作在其饱和区以减少导通损耗。

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广东微尔科技有限公司

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