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CS2N15AE

更新时间:2025-05-24 21:08:15

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CS2N15AE 概述

CS2N15AE是长电科技生产的一款N沟道增强型MOSFET。它采用SOT-23封装，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于各种低压高频应用。该器件最大漏源电压为20V，连续漏极电流可达2.8A，在电路中能够高效地控制电流的通断。这款MOSFET广泛应用于电源管理、负载开关以及DC-DC转换器等场景。在便携式设备如智能手机和平板电脑中，常用于电池保护电路和充电电路，确保设备安全可靠运行。在实际应用时，应注意其栅极驱动电压需满足开启条件，并合理设计PCB布局以优化散热性能。使用时推荐参考具体的应用手册进行外围电路设计，比如在电源路径管理中搭配合适的输入电容和输出电感来提升整体效率。

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