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CS4N60FA9R

更新时间:2025-05-28 22:23:41

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说明
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深圳市创芯联盈电子有限公司
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富昌源电子(深圳)有限公司
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瀚佳科技（深圳）有限公司
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深圳市瑞新盛科技有限公司
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易创佳业科技（深圳）有限公司
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CS4N60FA9R 概述

CS4N60FA9R是由Champion Semiconductor公司生产的高压功率MOSFET。该器件采用先进的平面DMOS技术制造，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高频开关电源应用。其最大漏源电压（Vds）为600V，连续漏极电流（Id）可达4A，非常适合用于交流-直流转换器、DC-DC转换器以及照明系统中的电子镇流器等场合。在实际应用中，由于其低栅极电荷量，能够实现高效能的开关操作，减少开关损耗。设计时应注意保证足够的散热措施，避免因过热导致性能下降或损坏。建议使用适当的PCB布局以优化热管理和电磁兼容性。例如，在高频反激式转换器中，需合理选择外部元件参数如变压器匝比和输出电容值，确保电路稳定运行。

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