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CS4N65A3HD1G

更新时间:2025-05-26 06:07:15

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CS4N65A3HD1G 概述

CS4N65A3HD1G是一款由Champion Semiconductor推出的高性能N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的沟槽技术制造，具有低导通电阻和低栅极电荷特性，适用于高频开关电源应用。其最大漏源电压（VDS）为650V，连续漏极电流（ID）可达4A，适用于反激式转换器、DC-DC转换器以及LED驱动器等电路中。此外，CS4N65A3HD1G具备优异的开关性能，能够有效降低开关损耗，提升系统效率。封装形式为TO-252，便于散热管理和PCB布局设计。在实际应用中，需注意栅极驱动电路的设计以确保MOSFET的可靠开通与关断，避免因驱动不足导致的器件损坏。

芯知识

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