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CSD17555Q5A

更新时间:2025-05-19 14:16:15
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CSD17555Q5A外观图

CSD17555Q5A

Texas Instruments FET - 单

MOSFET N-CH 30V 100A 8SON

  • 封装:*
CSD17555Q5A 规格参数
  • 标准包装
    1
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    NexFET™
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    100A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    2.7 毫欧 @ 25A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    1.9V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    28nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    4650pF @ 15V
  • 功率 - 最大
    3W
  • 安装类型
    *
  • 封装/外壳
    *
  • 供应商设备封装
    *
  • 包装
    *
  • 其它名称
    296-34772-6
芯知识
3.1万
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广东微尔科技有限公司
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