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CSD23285F5T

更新时间:2025-06-04 08:00:51
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CSD23285F5T 规格参数
  • 品牌：Texas Instruments
  • 描述：12V P-CHANNEL FEMTOFET MOSFET
  • 包装：250/标准卷带
  • FET 类型：P 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：12V
  • 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：5.4A（Ta）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.5V，4.5V
  • 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：35 毫欧 @ 1A，4.5V
  • 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：950mV @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）：4.2nC @ 4.5V
  • Vgs（最大值）：-6V
  • 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：628pF @ 6V
  • 功率耗散（最大值）：500mW（Ta）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 供应商器件封装：3-PICOSTAR
  • 封装/外壳：3-SMD，无引线
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广东微尔科技有限公司
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