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CSD25201W15

更新时间:2025-05-18 08:05:16
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CSD25201W15外观图

CSD25201W15

Texas Instruments FET - 单

MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA

  • 封装:9-UFBGA，DSBGA
CSD25201W15 规格参数
  • 产品培训模块
    NexFET MOSFET Technology
  • 视频文件
    NexFET Power BlockPowerStack? Packaging Technology Overview
  • 标准包装
    1
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    NexFET™
  • FET 型
    MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    4A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    40 毫欧 @ 2A，4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    1.1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    5.6nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    510pF @ 10V
  • 功率 - 最大
    1.5W
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    9-UFBGA，DSBGA
  • 供应商设备封装
    9-DSBGA（1.8x1.8）
  • 包装
    Digi-Reel?
  • 其它名称
    296-27609-6
CSD25201W15 Datasheet数据手册 PDF下载
芯产品
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广东微尔科技有限公司
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