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CSD86356Q5D

更新时间:2025-06-14 07:06:13
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CSD86356Q5D 规格参数
  • 现有数量
    0现货查看交期
  • 系列
    NexFET?
  • 包装
    卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态
    在售
  • 技术
    MOSFET（金属氧化物）
  • 配置
    2 个 N 通道（半桥）
  • FET 功能
    逻辑电平栅极，5V 驱动
  • 漏源电压（Vdss）
    25V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    40A（Ta）
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    4.5 毫欧 @ 20A，5V，0.8 毫欧 @ 20A，5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    1.85V @ 250μA，1.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    7.9nC @ 4.5V，19.3nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    1040pF @ 12.5V，2510pF @ 12.5V
  • 功率 - 最大值
    12W（Ta）
  • 工作温度
    -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 封装/外壳
    8-PowerTDFN
  • 供应商器件封装
    8-VSON-CLIP（5x6）
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广东微尔科技有限公司
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