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CSD87312Q3E

更新时间:2025-06-04 18:50:09
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CSD87312Q3E 规格参数
  • 现有数量
    2,923现货10,000Factory
  • 系列
    NexFET?
  • 包装
    卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态
    在售
  • 技术
    MOSFET（金属氧化物）
  • 配置
    2 N 沟道（双）共源
  • FET 功能
    逻辑电平门
  • 漏源电压（Vdss）
    30V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    27A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    33 毫欧 @ 7A，8V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    1.3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    8.2nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    1250pF @ 15V
  • 功率 - 最大值
    2.5W
  • 工作温度
    -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 封装/外壳
    8-PowerTDFN
  • 供应商器件封装
    8-VSON（3.3x3.3）
芯知识
3.3万
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苏州固锝电子股份有限公司
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