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CSD87502Q2

更新时间:2025-05-20 12:39:08

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香港晨兴安富利电子有限公司
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北京睿宸齐芯科技有限公司
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深圳市永贝尔半导体有限公司
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深圳市杰兴伟业电子有限公司
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深圳市辰艾电子有限公司
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TI/德州仪器
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惠州市利湾智能科技有限责任公
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深圳市创芯联盈电子有限公司
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TI德州仪器
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保证原装提供一站式配套服务

深圳市万佳电子贸易有限公司
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深圳市科翼源电子有限公司
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深圳市怡兴业电子科技有限公司
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限
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深圳市鼎运世纪科技有限公司
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深圳市华美锐电子有限公司
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CSD87502Q2 概述

CSD87502Q2 是由德州仪器（Texas Instruments）生产的一款高性能同步降压 NexFET 功率模块。这款芯片集成了高侧和低侧 MOSFET，专为高效直流-直流转换而设计。基础描述：它采用了紧凑的 SON 无引线封装，尺寸仅为 3.3mm x 3.3mm，有助于节省电路板空间。其优化的栅极驱动器布局减少了寄生效应，提高了开关性能。内部集成的两个功率 MOSFET 具有较低的导通电阻，可有效降低传导损耗。应用场景：该器件广泛应用于计算机、服务器、电信设备等需要高效电源管理的领域。典型应用包括 VR13 和 VR13.x CPU 核心供电、DDR 存储器电源、图形处理器（GPU）电源等。在实际应用中，建议采用适当的 PCB 布局以确保良好的热管理和电气性能。输入电容应靠近模块放置，输出电感选择需匹配工作频率。此外，为了充分发挥其性能，推荐使用 TI 的 UCD90xxx 系列数字 PWM 控制器进行控制。

CSD87502Q2 规格参数

现有数量
76,248现货9,000Factory
系列
NexFET?
包装
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
产品状态
在售
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 N-通道（双）
FET 功能
-
漏源电压（Vdss）
30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
32.4 毫欧 @ 4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
6nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
353pF @ 15V
功率 - 最大值
2.3W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-WDFN 裸露焊盘
供应商器件封装
6-WSON（2x2）

芯知识

3.3万

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苏州固锝电子股份有限公司

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