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CY14B104NA-BA45XET

更新时间:2025-06-03 17:48:14
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  • 北京芯旗科技有限公司

  • CY14B104NA-BA45XET

    CY14B104NA-BA45XET

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CY14B104NA-BA45XET 规格参数
  • 现有数量
    0现货查看交期
  • 系列
    -
  • 包装
    卷带（TR）
  • 产品状态
    在售
  • 存储器类型
    非易失
  • 存储器格式
    NVSRAM
  • 技术
    NVSRAM（非易失性 SRAM）
  • 存储容量
    4Mb
  • 存储器组织
    256K x 16
  • 存储器接口
    并联
  • 时钟频率
    -
  • 写周期时间 - 字，页
    45ns
  • 访问时间
    45 ns
  • 电压 - 供电
    3V ~ 3.6V
  • 工作温度
    -40°C ~ 125°C（TA）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 封装/外壳
    48-TFBGA
  • 供应商器件封装
    48-FBGA（6x10）
芯知识
5.0万
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广东微尔科技有限公司
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