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D44H11G

更新时间:2025-07-03 17:31:06

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香港晨兴安富利电子有限公司
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深圳市佳丽达电子有限公司
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深圳市源美佳成电子有限公司
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深圳市佳丽达电子有限公司
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深圳市英德州科技有限公司
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深圳市四雄微电子有限公司
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深圳市芯福林电子科技有限公司
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深圳市信科微科技有限公司
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惠州市利湾智能科技有限责任公
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D44H11G

ON Semiconductor 晶体管(BJT) - 单路

TRANS NPN 10A 80V TO220AB

封装:TO-220-3

D44H11G 概述

D44H11G是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款NPN功率晶体管。该晶体管采用TO-220封装，适用于中等功率应用场合。其具有较高的电流增益和集电极-发射极击穿电压，能够承受较大的集电极电流。这款晶体管常用于开关电源、电机驱动以及各种需要功率放大的电路中。在开关电源应用中，它可用作开关管来提高电源转换效率；在电机驱动电路里，可作为功率放大元件控制电机运行。使用时需注意散热设计，确保在其最大允许结温范围内工作，避免因过热而损坏。在电路设计上，合理选择基极电阻以保证合适的静态工作点，并且根据实际负载情况确定适当的散热器大小。

D44H11G 规格参数

标准包装
50
类别
分离式半导体产品
家庭
晶体管(BJT) - 单路
系列
-
晶体管类型
NPN
电流 - 集电极 (Ic)（最大）
10A
电压 - 集电极发射极击穿（最大）
80V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）
1V @ 400mA，8A
电流 - 集电极截止（最大）
10µA
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
40 @ 4A，1V
功率 - 最大
2W
频率 - 转换
50MHz
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3
供应商设备封装
TO-220AB
包装
管件
其它名称
D44H11GOS

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