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DGD2012S8-13

更新时间:2025-06-22 14:00:07
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DGD2012S8-13 规格参数
  • 品牌：Diodes Incorporated
  • 描述：IC GATE DRV HALF-BRIDGE 8SO 2.5K
  • 包装：2500/标准卷带
  • 驱动配置：半桥
  • 通道类型：独立式
  • 驱动器数：2
  • 栅极类型：N 沟道 MOSFET
  • 电压 - 电源：10V ~ 20V
  • 逻辑电压?- VIL，VIH：0.8V，2.5V
  • 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：1.9A，2.3A
  • 输入类型：非反相
  • 高压侧电压 - 最大值（自举）：200V
  • 上升/下降时间（典型值）：40ns，20ns
  • 工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装/外壳：8-SOIC（0.154\\"，3.90mm 宽）
  • 供应商器件封装：8-SO
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广东微尔科技有限公司
DGD2012S8-13推荐型号

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