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DGD21032S8-13

更新时间:2025-06-21 19:58:04
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DGD21032S8-13 规格参数
  • 现有数量
    0现货
  • 系列
    -
  • 包装
    卷带（TR）
  • 产品状态
    停产
  • Digi-Key Programmable
    Not Verified
  • 驱动配置
    半桥
  • 通道类型
    独立式
  • 驱动器数
    2
  • 栅极类型
    IGBT，N 沟道 MOSFET
  • 电压 - 供电
    10V ~ 20V
  • 逻辑电压?- VIL，VIH
    0.8V，2.5V
  • 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）
    290mA，600mA
  • 输入类型
    反相，非反相
  • 高压侧电压 - 最大值（自举）
    600 V
  • 上升/下降时间（典型值）
    70ns，35ns
  • 工作温度
    -40°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 封装/外壳
    8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • 供应商器件封装
    8-SO
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DGD21032S8-13推荐型号

IC型号索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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