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DMN3016LDN-7

更新时间:2025-06-13 06:34:18

供应商
产品型号
服务标识
数量
厂商
封装/批号
说明
询价

深圳市优尚半导体科技有限公司
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DMN3016LDN-7 概述

DMN3016LDN-7是由Diodes Incorporated生产的N沟道MOSFET。该器件采用DPAK封装，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高效功率转换应用。其最大漏源电压为30V，适合在低压电源管理电路中使用，如DC-DC转换器、负载开关和电池保护电路。由于其低栅极电荷，能够实现高速开关操作，有助于降低开关损耗，提高系统效率。此外，它也常用于便携式设备和消费电子产品中，以优化电源管理和延长电池寿命。在设计时应注意合理的PCB布局以确保良好的热性能，避免过热导致的性能下降或损坏。

DMN3016LDN-7 规格参数

现有数量
0现货查看交期
系列
-
包装
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
产品状态
在售
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 N-通道（双）
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
7.3A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
20 毫欧 @ 11A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
25.1nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1415pF @ 15V
功率 - 最大值
1.1W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-PowerWDFN
供应商器件封装
V-DFN3030-8（J 类）

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广东微尔科技有限公司

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