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DMN33D9LV-13

更新时间:2025-05-18 05:00:39
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DMN33D9LV-13 规格参数
  • 现有数量
    0现货70,000Factory查看交期
  • 系列
    -
  • 包装
    卷带（TR）
  • 产品状态
    在售
  • 技术
    MOSFET（金属氧化物）
  • 配置
    2 N-通道（双）
  • FET 功能
    -
  • 漏源电压（Vdss）
    30V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    350mA（Ta）
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    2.4 欧姆 @ 250mA，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    1.4V @ 100μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    1.23nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    48pF @ 5V
  • 功率 - 最大值
    430mW（Ta）
  • 工作温度
    -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 封装/外壳
    SOT-563，SOT-666
  • 供应商器件封装
    SOT-563
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广东微尔科技有限公司
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