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DMN61D9UDWQ

更新时间:2025-05-19 04:25:35

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DMN61D9UDWQ 概述

DMN61D9UDWQ是Diodes公司生产的一款N沟道增强型MOSFET，采用超小型DFN1010封装，适合高密度集成应用。其具有低导通电阻和快速开关特性，典型导通电阻在4.5V栅极电压下仅为72毫欧姆，这有助于减少导通损耗，提高电源效率。该MOSFET广泛应用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动等需要高效功率管理的场合。例如，在便携式设备如智能手机和平板电脑中可用于电源管理电路。在使用时需注意散热设计，虽然封装小但功率处理能力有限，建议在PCB布局时增加足够的铜皮面积以帮助散热，并确保栅极驱动电压稳定在规定范围内以避免误动作或损坏器件。

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