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DMT6009LCT

更新时间:2025-05-31 06:07:36
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DMT6009LCT 规格参数
  • 现有数量
    1,450现货
  • 系列
    -
  • 包装
    管件
  • 产品状态
    在售
  • FET 类型
    N 通道
  • 技术
    MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）
    60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    37.2A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
    4.5V，10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    12 毫欧 @ 13.5A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    33.5 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）
    ±16V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    1925 pF @ 30 V
  • FET 功能
    -
  • 功率耗散（最大值）
    2.2W（Ta），25W（Tc）
  • 工作温度
    -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型
    通孔
  • 供应商器件封装
    TO-220-3
  • 封装/外壳
    TO-220-3
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苏州固锝电子股份有限公司
DMT6009LCT推荐型号

IC型号索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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