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EM6K31T2R

更新时间:2025-06-11 08:41:55
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EM6K31T2R外观图

EM6K31T2R

ROHM Semiconductor FET - 阵列

TRANS MOSFET N-CH 60V 0.25A EMT6

  • 封装:SOT-563，SOT-666
EM6K31T2R 规格参数
  • 标准包装
    8,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 阵列
  • 系列
    -
  • FET 型
    2 个 N 沟道（双）
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    250mA
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    2.4 欧姆 @ 250mA，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    2.3V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    -
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    15pF @ 25V
  • 功率 - 最大
    150mW
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    SOT-563，SOT-666
  • 供应商设备封装
    EMT6
  • 包装
    带卷 (TR)
芯知识
2.1万
视频广告作为自主零售终端的“能量心脏”，HVP6-24S12始终稳供不宕机！
广东微尔科技有限公司
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