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EM6M2T2R

更新时间:2025-05-24 15:31:21
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EM6M2T2R外观图

EM6M2T2R

ROHM Semiconductor FET - 阵列

MOSFET N/P-CH 20V 200MA EMT6

  • 封装:SOT-563，SOT-666
EM6M2T2R 规格参数
  • 标准包装
    8,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 阵列
  • 系列
    -
  • FET 型
    N 和 P 沟道
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    200mA
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    1 欧姆 @ 200mA，4V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    1V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    -
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    25pF @ 10V
  • 功率 - 最大
    150mW
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    SOT-563，SOT-666
  • 供应商设备封装
    EMT6
  • 包装
    带卷 (TR)
  • 其它名称
    EM6M2T2R-NDEM6M2T2RTR
芯知识
3.3万
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苏州固锝电子股份有限公司
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