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EMF21-7

更新时间:2025-05-19 23:36:32
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EMF21-7 规格参数
  • 标准包装
    3,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
  • 系列
    -
  • 晶体管类型
    1 NPN 预偏压式，1 PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）
    100mA，500mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）
    50V，12V
  • 电阻器 - 基极 (R1)（欧）
    10k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)（欧）
    10k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
    30 @ 5mA，5V / 270 @ 10mA，2V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）
    300mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 10mA，200mA
  • 电流 - 集电极截止（最大）
    500nA
  • 频率 - 转换
    250MHz，280MHz
  • 功率 - 最大
    300mW
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    SOT-563，SOT-666
  • 供应商设备封装
    SOT-563
  • 包装
    带卷 (TR)
  • 其它名称
    EMF21-7-NDEMF21DITR
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