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EMZ8T2R

更新时间:2025-06-13 22:06:01
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EMZ8T2R外观图

EMZ8T2R

ROHM Semiconductor 晶体管(BJT) - 阵列

TRANS PNP DUAL BIP+BIP EMT6

  • 封装:SOT-563，SOT-666
EMZ8T2R 规格参数
  • 标准包装
    8,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    晶体管(BJT) - 阵列
  • 系列
    -
  • 晶体管类型
    NPN，PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）
    150mA，500mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）
    50V，12V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）
    400mV @ 5mA，50mA / 250mV @ 10mA，200mA
  • 电流 - 集电极截止（最大）
    -
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
    120 @ 1mA，6V / 270 @ 10mA，2V
  • 功率 - 最大
    150mW
  • 频率 - 转换
    180MHz，260MHz
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    SOT-563，SOT-666
  • 供应商设备封装
    EMT6
  • 包装
    带卷 (TR)
芯知识
2.1万
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广东微尔科技有限公司
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